BC849B参数规格_中文资料_数据手册PDF

BC849B概述

BC849B NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 420~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 2B

Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V ESD Rating − Machine Model: >400 V • These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant

BC849B中文资料参数规格

封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 30V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 30V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 100mA/0.1A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 100MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 420~800

管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage 200~600 mV

耗散功率PcPower Dissipation 225mW/0.225W

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数据手册

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型号： BC849B

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：BC849B NPN三极管 30V 100mA/0.1A 100MHz 420~800 200~600 mV SOT-23/SC-59 marking/标记 2B

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替代型号BC849B

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