IRFS3006TRL7PP

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IRFS3006TRL7PP概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V

Benefits:

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RoHS Compliant
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Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
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Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA
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Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability

得捷:
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK


欧时:
MOSFET HEXFET N-Ch 60V 293A D2PAK7


立创商城:
IRFS3006TRL7PP


贸泽:
MOSFET MOSFT 60V 293A 2.1mOhm 200nC Qg


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 293A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 293A; 375W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 293A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 240A D2PAK7


IRFS3006TRL7PP中文资料参数规格
技术参数

额定功率 375 W

通道数 1

针脚数 7

漏源极电阻 1.5 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 4 V

输入电容 8850 pF

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 293A

上升时间 61 ns

输入电容Ciss 8850pF @50VVds

下降时间 69 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-263-7

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Battery Operated Drive

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFS3006TRL7PP
型号: IRFS3006TRL7PP
制造商: Infineon 英飞凌
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 240 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IRFS3006TRL7PP
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRFS3006TRL7PP

Infineon 英飞凌

当前型号

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