IRF7769L1TRPBF概述
晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V
Benefits:
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- RoHS Compliant
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- Qualified Industrial
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- Qualified MSL1
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- Low Profile less than 0.7 mm
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- Dual Sided Cooling
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- Optimized for Synchronous Rectification
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- Low Conduction Losses
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- High Cdv/dt Immunity
IRF7769L1TRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3.3 W
针脚数 15
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 11560pF @25VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 15
封装 Direct-FET
外形尺寸
封装 Direct-FET
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Isolated Primary Side MOSFETs, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs, Battery Operated Drive, Load Switch High Side
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRF7769L1TRPBF
型号： IRF7769L1TRPBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：晶体管, MOSFET, N沟道, 375 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V