


晶体管, MOSFET, N沟道, 124 A, 100 V, 0.0028 ohm, 10 V, 2.7 V
表面贴装型 N 通道 375A(Tc) 3.3W(Ta),125W(Tc) DIRECTFET L8
得捷:
MOSFET N-CH 100V 375A DIRECTFET
立创商城:
N沟道 100V 124A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 124A; 125W; DirectFET
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 20A 15-Pin Direct-FET L8 T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V DIRECTFET L8
额定功率 125 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 0.0028 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.3 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 20A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 11560pF @25VVds
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.3W Ta, 125W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 15
封装 Direct-FET
长度 9.15 mm
宽度 7.1 mm
高度 0.74 mm
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7769L2TRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7769L2TR1PBF 英飞凌 | 功能相似 | IRF7769L2TRPBF和IRF7769L2TR1PBF的区别 |