IRL60B216

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IRL60B216概述

INFINEON  IRL60B216  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新

StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,

是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V

适用于电池供电系统

应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器


得捷:
MOSFET N-CH 60V 195A TO220AB


立创商城:
IRL60B216


欧时:
### StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


贸泽:
MOSFET 60V, 195A, 1.9 mOhm 172 nC Qg, Logic Lvl


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 305A 3-Pin TO-220AB Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 215A; 375W; TO220AB


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 305A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# INFINEON  IRL60B216  MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V


儒卓力:
**N-CH 60V 195A 1,5mOhm TO220-3 **


IRL60B216中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0015 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 375 W

阈值电压 2.4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 305A

上升时间 185 ns

输入电容Ciss 15570pF @25VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 375W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.83 mm

高度 16.51 mm

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRL60B216
型号: IRL60B216
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRL60B216  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新

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