IRFBA1405PPBF

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IRFBA1405PPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,55V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFBA1405PPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 W

极性 N-Channel

耗散功率 330 W

输入电容 5480 pF

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 174A

上升时间 190 ns

输入电容Ciss 5480pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-273-3

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 5 mm

高度 15 mm

封装 TO-273-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFBA1405PPBF
型号: IRFBA1405PPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFBA1405PPBF
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IRFBA1405PPBF和IRFBA1405P的区别

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