HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,55V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 330 W
极性 N-Channel
耗散功率 330 W
输入电容 5480 pF
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 174A
上升时间 190 ns
输入电容Ciss 5480pF @25VVds
额定功率Max 330 W
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 330W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-273-3
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 15 mm
封装 TO-273-3
材质 Silicon
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRFBA1405PPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFBA1405P 英飞凌 | 功能相似 | IRFBA1405PPBF和IRFBA1405P的区别 |