N 通道功率 MOSFET 超过 100A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET，40V，
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ，Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
额定功率 380 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.00135 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 380 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 350A
上升时间 370 ns
输入电容Ciss 8920pF @25VVds
下降时间 190 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 380W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.87 mm
宽度 5.31 mm
高度 20.7 mm
封装 TO-247-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Consumer Full-Bridge, Push-Pull, Power Management, Full-Bridge, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99