IRF1404LPBF

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IRF1404LPBF概述

INFINEON  IRF1404LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 40V 162A TO262


欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装


立创商城:
N沟道 40V 162A


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube


Newark:
# INFINEON  IRF1404LPBF  MOSFET, N-CH, 40V, 162A, TO-262-3


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262


IRF1404LPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0035 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 162A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 7360pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

高度 10.54 mm

封装 TO-262-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF1404LPBF
型号: IRF1404LPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF1404LPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
替代型号IRF1404LPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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Infineon 英飞凌

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英飞凌

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IRF1404LPBF和IRF1404L的区别

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