

















INFINEON IRF1404LPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 0.0035 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道功率 MOSFET,40V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 162A TO262
欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF1404LPBF, 162 A, Vds=40 V, 3引脚 I2PAK TO-262封装
立创商城:
N沟道 40V 162A
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 162 A, 0.0035 ohm, TO-262, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; TO262
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
Newark:
# INFINEON IRF1404LPBF MOSFET, N-CH, 40V, 162A, TO-262-3
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 162A TO-262
额定功率 200 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 200 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 162A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 7360pF @25VVds
额定功率Max 3.8 W
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
高度 10.54 mm
封装 TO-262-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF1404LPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF1404L 英飞凌 | 类似代替 | IRF1404LPBF和IRF1404L的区别 |