IRF1404SPBF

IRF1404SPBF图片1
IRF1404SPBF图片2
IRF1404SPBF图片3
IRF1404SPBF图片4
IRF1404SPBF图片5
IRF1404SPBF图片6
IRF1404SPBF图片7
IRF1404SPBF图片8
IRF1404SPBF图片9
IRF1404SPBF图片10
IRF1404SPBF图片11
IRF1404SPBF图片12
IRF1404SPBF图片13
IRF1404SPBF图片14
IRF1404SPBF概述

INFINEON  IRF1404SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


贸泽:
MOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 4mOhms 160nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 162A 3-Pin2+Tab D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 162A; 200W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 162A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube


Newark:
# INFINEON  IRF1404SPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V


儒卓力:
**N-CH 40V 162A 4mOhm TO263 **


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 162A D2PAK


IRF1404SPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 200 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 200 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 162A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 7360pF @25VVds

额定功率Max 3.8 W

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.8W Ta, 200W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF1404SPBF
型号: IRF1404SPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRF1404SPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 162 A, 40 V, 4 mohm, 10 V, 4 V
替代型号IRF1404SPBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF1404SPBF

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

IRF2804SPBF

英飞凌

类似代替

IRF1404SPBF和IRF2804SPBF的区别

IRF1404STRLPBF

英飞凌

类似代替

IRF1404SPBF和IRF1404STRLPBF的区别

IRF1404STRRPBF

英飞凌

类似代替

IRF1404SPBF和IRF1404STRRPBF的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台