N 通道功率 MOSFET，InfineonInfineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管，Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。
汽车 N 通道功率 MOSFET，
Infineon 的全面 AECQ-101 汽车资格单芯片 N 通道设备组合可满足许多应用中的多种电源要求。 该分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 55V 135A D2PAK
欧时:
Infineon Si N沟道 MOSFET 晶体管 AUIRF2805S, 135 A, Vds=55 V, 4引脚 D2PAK封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 135A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 135A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 135A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 135A; 200W; D2PAK
额定功率 200 W
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-CH
耗散功率 200 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 135A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 5110pF @25VVds
下降时间 110 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 200W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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