INFINEON IRF2804SPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
N 通道功率 MOSFET,40V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
贸泽:
MOSFET 40V 1 N-CH HEXFET 2.3mOhms 160nC
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 40 V, 75 A, 0.002 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 40V; RDSON 1.5 Milliohms; ID 75A; D2Pak; PD 330W; VGS +/-20
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 280A 3-Pin2+Tab D2PAK
富昌:
单 N 沟道 40 V 300 W 160 nC 功率 Mosfet 表面贴装 - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 280A; 330W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 270A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube
Newark:
# INFINEON IRF2804SPBF MOSFET Transistor, N Channel, 75 A, 40 V, 2 mohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 40V 280A 2,3mOhm TO263 **
Win Source:
AUTOMOTIVE MOSFET
额定功率 330 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.002 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 mW
阈值电压 4 V
输入电容 6450pF @25V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 270A
上升时间 120 ns
输入电容Ciss 6450pF @25VVds
下降时间 130 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRF2804SPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF1404SPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF2804SPBF和IRF1404SPBF的区别 |
IRFS3004PBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF2804SPBF和IRFS3004PBF的区别 |
IRF2804STRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF2804SPBF和IRF2804STRRPBF的区别 |