IRFS7437TRLPBF

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IRFS7437TRLPBF概述

40V,1.8mΩ,250A,N沟道功率MOSFET

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK


欧时:
### N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


立创商城:
IRFS7437TRLPBF


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
单通道 N 沟道 40 V 230 W 150 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 -D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 40V 180A 1,4mOhm TO263 **


力源芯城:
40V,1.8mΩ,250A,N沟道功率MOSFET


IRFS7437TRLPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 230 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 230 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 250A

上升时间 70 ns

输入电容Ciss 7330pF @25VVds

下降时间 53 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 230W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Battery Operated Drive, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge, Push-Pull

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFS7437TRLPBF
型号: IRFS7437TRLPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:40V,1.8mΩ,250A,N沟道功率MOSFET
替代型号IRFS7437TRLPBF
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