40V,1.8mΩ,250A,N沟道功率MOSFET
N 通道功率 MOSFET,40V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N CH 40V 195A D2PAK
欧时:
### N 通道功率 MOSFET 超过 100A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
立创商城:
IRFS7437TRLPBF
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 250A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
单通道 N 沟道 40 V 230 W 150 nC Hexfet 功率 Mosfet 表面贴装 -D2PAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 180A; 230W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 250A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
儒卓力:
**N-CH 40V 180A 1,4mOhm TO263 **
力源芯城:
40V,1.8mΩ,250A,N沟道功率MOSFET
额定功率 230 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 230 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 250A
上升时间 70 ns
输入电容Ciss 7330pF @25VVds
下降时间 53 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 230W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Battery Operated Drive, Consumer Full-Bridge, Full-Bridge, Push-Pull
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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