IRF2804STRL7PP

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IRF2804STRL7PP概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


立创商城:
IRF2804STRL7PP


得捷:
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK


欧时:
N 通道功率 MOSFET,40V,InfineonInfineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 160 A, 40 V, 0.0012 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 280A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 280A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 320A; 330W; D2PAK-7


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 280A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK-7


IRF2804STRL7PP中文资料参数规格
技术参数

额定功率 330 W

针脚数 7

漏源极电阻 0.0012 Ω

极性 N-CH

耗散功率 330 W

阈值电压 4 V

输入电容 6930 pF

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 280A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 6930pF @25VVds

额定功率Max 330 W

下降时间 130 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 330W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.5 mm

宽度 10.05 mm

高度 4.55 mm

封装 TO-263-7

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF2804STRL7PP
型号: IRF2804STRL7PP
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRF2804STRL7PP
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Infineon 英飞凌

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