IRFBA1404PPBF

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IRFBA1404PPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,40V,

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220


立创商城:
IRFBA1404PPBF


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 206A 3-Pin3+Tab TO-273AA


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 300W; SUPER220


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 206A 3-Pin3+Tab TO-273AA Tube


IRFBA1404PPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 300 W

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

漏源极电压Vds 40 V

连续漏极电流Ids 206A

上升时间 140 ns

输入电容Ciss 7360pF @25VVds

下降时间 26 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -40 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 SUPER-220

外形尺寸

长度 11 mm

宽度 5 mm

高度 20.5 mm

封装 SUPER-220

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFBA1404PPBF
型号: IRFBA1404PPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFBA1404PPBF
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