HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,40V,
Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备,外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 40V 206A SUPER-220
立创商城:
IRFBA1404PPBF
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 206A 3-Pin3+Tab TO-273AA
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 206A; 300W; SUPER220
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 206A 3-Pin3+Tab TO-273AA Tube
额定功率 300 W
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 206A
上升时间 140 ns
输入电容Ciss 7360pF @25VVds
下降时间 26 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -40 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 SUPER-220
长度 11 mm
宽度 5 mm
高度 20.5 mm
封装 SUPER-220
工作温度 -40℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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