IRFI7536GPBF

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IRFI7536GPBF概述

INFINEON  IRFI7536GPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 86A, TO-220-3

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

IRFI7536GPBF中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0027 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 75 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 86A

上升时间 77 ns

输入电容Ciss 6600pF @48VVds

下降时间 64 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 75W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.63 mm

宽度 4.83 mm

高度 9.8 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRFI7536GPBF
型号: IRFI7536GPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRFI7536GPBF.  场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 86A, TO-220-3

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