INFINEON IRFI7536GPBF. 场效应管, MOSFET, N沟道, 60V, 86A, TO-220-3
N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
针脚数 3
漏源极电阻 0.0027 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 75 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 86A
上升时间 77 ns
输入电容Ciss 6600pF @48VVds
下降时间 64 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 75W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.63 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.8 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17