INFINEON IRLR7843PBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
N 通道功率 MOSFET,30V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 2.6 Milliohms; ID 161A; D-Pak TO-252AA; VF 1V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK
富昌:
单 N沟道 30 V 140 W 34 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK Tube
Newark:
# INFINEON IRLR7843PBF MOSFET Transistor, N Channel, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK
额定功率 140 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0033 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 2.3 V
输入电容 4380pF @15V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 161A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 4380pF @15VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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