IRLR7843PBF

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IRLR7843PBF概述

INFINEON  IRLR7843PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Allied Electronics:
MOSFET; Power; N-Ch; VDSS 30V; RDSON 2.6 Milliohms; ID 161A; D-Pak TO-252AA; VF 1V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK


富昌:
单 N沟道 30 V 140 W 34 nC 功率Mosfet 表面贴装 - TO-252AA


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 161A; 140W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK Tube


Newark:
# INFINEON  IRLR7843PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK


IRLR7843PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 140 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.0033 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 140 W

阈值电压 2.3 V

输入电容 4380pF @15V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 161A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 4380pF @15VVds

额定功率Max 140 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电机驱动与控制, 电源管理, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRLR7843PBF
型号: IRLR7843PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:INFINEON  IRLR7843PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 161 A, 30 V, 3.3 mohm, 10 V, 2.3 V
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