IRLR7843TRLPBF参数规格_中文资料_数据手册PDF

IRLR7843TRLPBF概述

N沟道 30V 161A

Benefits:

.: RoHS Compliant

.: Industry-leading quality

.: Low RDSON at 4.5V VGS

.: Fully Characterized Avalanche Voltage and Current

.: Ultra-Low Gate Impedance

.: Logic Level

得捷:
MOSFET N-CH 30V 161A DPAK

立创商城:
N沟道 30V 161A

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 161A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

IRLR7843TRLPBF中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 3.3 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 140 W

阈值电压 2.3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 161A

上升时间 42 ns

输入电容Ciss 4380pF @15VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 140W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.5 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.3 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IRLR7843TRLPBF

型号： IRLR7843TRLPBF

制造商： Infineon 英飞凌

描述：N沟道 30V 161A

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替代型号IRLR7843TRLPBF

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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