IRL40B212

INFINEON  IRL40B212  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V 新

StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET，

是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展，针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性，如低 RDS（接通）用于提供更大效率，及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。

最佳 RDS（接通）@ VGS = +4.5V

适用于电池供电系统

应用范围：电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器

欧时:
Infineon StrongIRFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRL40B212, 254 A, Vds=40 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

得捷:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB

立创商城:
IRL40B212

e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 254A 3-Pin TO-220AB Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 179A; 231W; TO220AB

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 254A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube

Newark:
# INFINEON  IRL40B212  MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 40 V, 0.0015 ohm, 10 V, 2.4 V

儒卓力:
**N-CH 40V 195A 1,5mOhm TO220-3 **

Win Source:
MOSFET N-CH 40V 195A TO220AB / N-Channel 40 V 195A Tc 231W Tc Through Hole TO-220AB