IRF2903ZSPBF

INFINEON  IRF2903ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V

N 通道功率 MOSFET，30V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK

欧时:
Infineon HEXFET 系列 Si N沟道 MOSFET IRF2903ZSPBF, 235 A, Vds=30 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装

贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 2.4mOhms 160nC

e络盟:
INFINEON  IRF2903ZSPBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 260 A, 30 V, 0.0019 ohm, 10 V, 4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 235A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 235A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 260A; 290W; D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 235A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 75A D2PAK