2SD601A

2SD601A NPN三极管 60V 100mA/0.1A 150MHz 160~460 100mV/0.1V SOT-23/SC-59 marking/标记 Z 通用放大

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 60V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 50V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 100mA/0.1A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 150MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 160~460 管压降VCE（sat）Collector-Emitter Saturation Voltage| 100mV/0.1V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB709A Features High foward current transfer ratio hFE. Low collector to emitter saturation voltage VCEsat Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 描述与应用| NPN硅外延平面型 对于一般的放大 补充2SB709A 特点 高FOWARD电流传输比HFE。 低集电极到发射极饱和电压VCE（SAT） 迷你型包装，让瘦身带包装盒包装的设备和通过自动插入。