IRFS7530PBF

INFINEON  IRFS7530PBF  晶体管, MOSFET, N沟道, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V，

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备，采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

得捷:
MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK

欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A，Infineon### MOSFET 晶体管，Infineon IR### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 195 A, 0.00165 ohm, TO-263AB, 表面安装

安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 295A 3-Pin D2PAK Tube

富昌:
N 沟道 60 V 2 mΩ 375 W 表面贴装 HexFet 功率 MosFet - D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 295A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

Newark:
# INFINEON  IRFS7530PBF  MOSFET Transistor, N Channel, 195 A, 60 V, 0.00165 ohm, 10 V, 3.7 V

儒卓力:
**N-CH 60V 295A 2mOhm TO263 **