N沟道 75V 183A
通孔 N 通道 183A(Tc) 290W(Tc) TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 75V 183A TO262
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N沟道 75V 183A
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MOSFET 75V Single N-Channel HEXFET
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Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
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Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin TO-262 Tube
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Trans MOSFET N-CH 75V 183A 3-Pin3+Tab TO-262 Tube
通道数 1
漏源极电阻 3.5 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 290 W
阈值电压 3.7 V
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
连续漏极电流Ids 183A
上升时间 123 ns
输入电容Ciss 10150pF @25VVds
下降时间 100 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 290W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free