NTMFS4897NFT1G

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NTMFS4897NFT1G概述

ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4897NFT1G  场效应管, MOSFET, N沟道

表面贴装型 N 通道 17A(Ta),171A(Tc) 950mW(Ta),96.2W(Tc) 5-DFN(5x6)(8-SOFL)


立创商城:
N沟道 30V 171A


得捷:
MOSFET N-CH 30V 17A/171A 5DFN


e络盟:
# ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4897NFT1G  场效应管, MOSFET, N沟道


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 47A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Allied Electronics:
MOSFET N-Channel 30V 47A SOIC8-8 FL


富昌:
NTMFS 系列 N沟道 30 V 2 mOhm 950 mW 表面贴装 功率MOSFET - SO-8FL


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 47A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 29A 5-Pin4+Tab SO-FL T/R


Newark:
# ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4897NFT1G  MOSFET Transistor, N Channel, 171 A, 30 V, 1.3 mohm, 10 V, 2 V


力源芯城:
30V,171A功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V SO-8FL


Win Source:
MOSFET N-CH 30V SO-8FL


NTMFS4897NFT1G中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 1.3 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 17.0 A

上升时间 24 ns

输入电容Ciss 5660pF @15VVds

额定功率Max 950 mW

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 950mW Ta, 96.2W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买NTMFS4897NFT1G
型号: NTMFS4897NFT1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON SEMICONDUCTOR  NTMFS4897NFT1G  场效应管, MOSFET, N沟道
替代型号NTMFS4897NFT1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTMFS4897NFT1G

ON Semiconductor 安森美

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NTMFS4897NFT3G

安森美

功能相似

NTMFS4897NFT1G和NTMFS4897NFT3G的区别

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