FDMT80080DC

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FDMT80080DC概述

晶体管, MOSFET, N沟道, 254 A, 80 V, 0.00106 ohm, 10 V, 3.1 V

表面贴装型 N 通道 80 V 36A(Ta),254A(Tc) 3.2W(Ta),156W(Tc) 8-Dual Cool™88


得捷:
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL


立创商城:
FDMT80080DC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 254 A, 80 V, 0.00106 ohm, 10 V, 3.1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 80V 36A 8-Pin QFN EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 254A 8-Pin PQFN T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 80V 36A/254A 8DUAL / N-Channel 80 V 36A Ta, 254A Tc 3.2W Ta, 156W Tc Surface Mount 8-Dual Cool™88


FDMT80080DC中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.00106 Ω

耗散功率 156 W

阈值电压 3.1 V

输入电容 20720 pF

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 65 ns

输入电容Ciss 14800pF @40VVds

下降时间 30 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3200 mW

封装参数

引脚数 8

封装 PQFN-8

外形尺寸

长度 8 mm

封装 PQFN-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMT80080DC
型号: FDMT80080DC
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:晶体管, MOSFET, N沟道, 254 A, 80 V, 0.00106 ohm, 10 V, 3.1 V

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