FDB024N04AL7参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB024N04AL7概述

N沟道 40V 219A

N-Channel 40V 100A Tc 214W Tc Surface Mount TO-263-7

立创商城:
N沟道 40V 219A

得捷:
MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 219A 7-Pin6+Tab D2PAK T/R

FDB024N04AL7中文资料参数规格

技术参数

漏源极电压Vds 40 V

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 5490pF @25VVds

额定功率Max 214 W

下降时间 17 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 214000 mW

封装参数

引脚数 7

封装 TO-263-8

外形尺寸

封装 TO-263-8

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDB024N04AL7

型号： FDB024N04AL7

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：N沟道 40V 219A