NVMFS4C01NWFT3G概述
NVMFS4C01N: 单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 30V，319A，0.9mΩ
N-Channel 30V 49A Ta, 319A Tc 3.84W Ta, 161W Tc Surface Mount 5-DFN 5x6 8-SOFL
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NVMFS4C01NWFT3G
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MOSFET N-CH 30V 49A/319A 5DFN
贸泽:
MOSFET NFET SO8FL 30V 305A 0.9MO
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Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin4+Tab SO-FL T/R
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Trans MOSFET N-CH 30V 319A 8-Pin SO-FL T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 49A Automotive 5-Pin4+Tab SO-FL T/R
NVMFS4C01NWFT3G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 3.84 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 49A
上升时间 68 ns
输入电容Ciss 10144pF @15VVds
下降时间 36 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.84W Ta, 161W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 SO-FL-8
外形尺寸
封装 SO-FL-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买NVMFS4C01NWFT3G
型号： NVMFS4C01NWFT3G
制造商：
ON Semiconductor
安森美
描述：NVMFS4C01N: 单 N 沟道逻辑电平功率 MOSFET 30V，319A，0.9mΩ