FDP020N06B_F102

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FDP020N06B_F102概述

ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP020N06B_F102, 120 A,313 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor

### MOSFET ,Fairchild Semiconductor

Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸,其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。

Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


欧时:
ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP020N06B_F102, 120 A,313 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 313A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


FDP020N06B_F102中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 333 W

输入电容Ciss 16100pF @30VVds

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 333 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.672 mm

高度 15.215 mm

封装 TO-220

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买FDP020N06B_F102
型号: FDP020N06B_F102
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:ON Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDP020N06B_F102, 120 A,313 A, Vds=60 V, 3引脚 TO-220封装

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