IRFH4210DTRPBF概述
INFINEON IRFH4210DTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 25 V, 0.00085 ohm, 10 V, 1.6 V 新
Benefits:
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- Low RDSON less than 1.10 mOhms
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- Schottky Intrinsic Diode with Low Forward Voltage
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- Low Thermal Resistance to PCB less than 1.0°C/W
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- Low Profile less than 0.9 mm
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- Industry-Standard Pinout
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- Compatible with Existing Surface Mount Techniques
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- RoHS Compliant, Halogen-Free
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- MSL1, Industrial Qualification
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- FastIRFET™
IRFH4210DTRPBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 3.5 W
通道数 1
针脚数 5
极性 N-Channel
耗散功率 3.5 W
阈值电压 1.6 V
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 44A
上升时间 45 ns
输入电容Ciss 4812pF @13VVds
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.5W Ta, 125W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PG-TDSON-8
外形尺寸
宽度 5 mm
封装 PG-TDSON-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Point of Load SyncFET, MultiPhase SyncFET
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFH4210DTRPBF
型号： IRFH4210DTRPBF
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IRFH4210DTRPBF 晶体管, MOSFET, N沟道, 44 A, 25 V, 0.00085 ohm, 10 V, 1.6 V 新
替代型号IRFH4210DTRPBF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFH4210DTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC010NE2LSI 英飞凌 | 功能相似 | IRFH4210DTRPBF和BSC010NE2LSI的区别 |