IRFS7534-7PPBF

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IRFS7534-7PPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET 60V 至 80V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin6+Tab D2PAK Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 255A 7-Pin D2PAK Tube


富昌:
IRFS7534 系列 60 V 240 A 表面贴装 HEXFET® 功率 MOSFET - D2PAK-7


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 60V 255A 7-Pin6+Tab D2PAK Tube


儒卓力:
**N-CH 60V 240A 1,95mOhm TO263-7 **


Win Source:
MOSFET N CH 60V 240A D2PAK / N-Channel 60 V 240A Tc 290W Tc Surface Mount D2PAK 7-Lead


IRFS7534-7PPBF中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 290 W

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 255A

上升时间 120 ns

输入电容Ciss 9990pF @25VVds

下降时间 86 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 290W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 7

封装 TO-263-7

外形尺寸

长度 10.54 mm

宽度 4.69 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-263-7

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IRFS7534-7PPBF
型号: IRFS7534-7PPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFS7534-7PPBF
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