40V,136A,N沟道MOSFET
N-Channel 40V 167A Tc 5.4W Ta, 254W Tc Surface Mount D2PAK
得捷:
MOSFET N-CH 40V 167A D2PAK
贸泽:
MOSFET NFET 40V 129A 5O
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
40V,136A,N沟道MOSFET
Win Source:
Power MOSFET 40 V, 136 A, Single N-Channel, D2PAK & TO-220
通道数 1
漏源极电阻 45.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 254 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 136 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 7000pF @32VVds
下降时间 85 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 5.4W Ta, 254W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.29 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
NTB5404NT4G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTB5405NT4G 安森美 | 类似代替 | NTB5404NT4G和NTB5405NT4G的区别 |
NTB5405NG 安森美 | 类似代替 | NTB5404NT4G和NTB5405NG的区别 |
NTP125N02RG 安森美 | 功能相似 | NTB5404NT4G和NTP125N02RG的区别 |