StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,Infineon是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V 适用于电池供电系统 应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
StrongIRFET™ Logic-Level 功率 MOSFET,
是 Infineon StrongIRFET 系列的扩展,针对 +5V 逻辑电平栅极驱动的优化。 它们共享与现有 StrongIRFET 系列相同的特性,如低 RDS(接通)用于提供更大效率,及高电路载流量用于提高耐用性和操作可靠性。
最佳 RDS(接通)@ VGS = +4.5V
适用于电池供电系统
应用范围:电机驱动器、同步整流器系统、OR-ing 和冗余电源开关、直流-直流转换器
### MOSFET ,Infineon
Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。
针脚数 11
漏源极电阻 0.00034 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 341 W
阈值电压 1.7 V
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 59A
上升时间 176 ns
输入电容Ciss 20082pF @25VVds
下降时间 137 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 341W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 15
封装 Direct-FET
长度 9.15 mm
宽度 7.1 mm
高度 0.74 mm
封装 Direct-FET
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99