NTB125N02RG参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTB125N02RG概述

功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK

表面贴装型 N 通道 95A（Ta），120.5A（Tc） 1.98W（Ta），113.6W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 24V 95A/120.5A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 24V 18.6A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 24V 15.9A D2PAK

NTB125N02RG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 24.0 V

额定电流 125 A

漏源极电阻 3.70 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.98W Ta, 113.6W Tc

输入电容 3.44 nF

栅电荷 28.0 nC

漏源极电压Vds 24 V

漏源击穿电压 24.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 125 A

输入电容Ciss 3440pF @20VVds

耗散功率Max 1.98W Ta, 113.6W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTB125N02RG

型号： NTB125N02RG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 125 A， 24 VN沟道TO- 220 ， D2PAK Power MOSFET 125 A, 24 V N−Channel TO−220, D2PAK

替代型号NTB125N02RG