NTMFS4922NET1G概述
SO-FL N-CH 30V 29.1A
Make an effective common gate amplifier using this power MOSFET from . Its maximum power dissipation is 2720 mW. Tape and reel packaging will encase this product during shipment, in order to ensure safe delivery and enable quick mounting of components. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
NTMFS4922NET1G中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 7.23 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 29.1A
上升时间 36.2 ns
输入电容Ciss 5505pF @15VVds
额定功率Max 930 mW
下降时间 9.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 930mW Ta, 69.44W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 DFN-8
外形尺寸
封装 DFN-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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