NTB35N15T4参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTB35N15T4概述

功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK

表面贴装型 N 通道 37A（Ta） 2W（Ta），178W（Tj） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 150V 37A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 37A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 37A 3-Pin 2+Tab D2PAK T/R

NTB35N15T4中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 37.0 A

漏源极电阻 50.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 37.0 A

上升时间 125 ns

输入电容Ciss 3200pF @25VVds

耗散功率Max 2 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTB35N15T4

型号： NTB35N15T4

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 37安培， 150伏特N沟道增强模式D2PAK Power MOSFET 37 Amps, 150 Volts N-Channel Enhancement-Mode D2PAK

替代型号NTB35N15T4