IRFPS3810PBF

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IRFPS3810PBF概述

N沟道 100 V 580 W 260 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-274AA

Benefits:

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RoHS Compliant
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Low RDSon
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Industry-leading quality
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Dynamic dv/dt Rating
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Fast Switching
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Fully Avalanche Rated
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175°C Operating Temperature

得捷:
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247


立创商城:
IRFPS3810PBF


贸泽:
MOSFET 100V SINGLE N-CH 9mOhms 260nC


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-274AA Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-274AA


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-274AA


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 141A; 441W; SUPER247


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 170A 3-Pin3+Tab TO-274AA Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 170A SUPER247


IRFPS3810PBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 441 W

极性 N-Channel

耗散功率 580 W

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 170A

上升时间 270 ns

输入电容Ciss 6790pF @25VVds

额定功率Max 580 W

下降时间 140 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 580W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.87 mm

宽度 5.31 mm

高度 20.7 mm

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRFPS3810PBF
型号: IRFPS3810PBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:N沟道 100 V 580 W 260 nC 功率Mosfet 法兰安装 - TO-274AA
替代型号IRFPS3810PBF
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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