NTB45N06LG参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTB45N06LG概述

45安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK

N-Channel 60V 45A Ta 2.4W Ta, 125W Tj Surface Mount D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 45A 3-Pin2+Tab D2PAK Rail

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 45A D2PAK

NTB45N06LG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 45.0 A

漏源极电阻 28.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.4 W

输入电容 1.72 nF

栅电荷 46.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

输入电容Ciss 1700pF @25VVds

耗散功率Max 2.4 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTB45N06LG

型号： NTB45N06LG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：45安培， 60伏特，逻辑电平， N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK

替代型号NTB45N06LG