NTB45N06L

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NTB45N06L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 45.0 A

漏源极电阻 28.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 2 V

输入电容 1.72 nF

栅电荷 46.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±15.0 V

连续漏极电流Ids 45.0 A

上升时间 341 ns

输入电容Ciss 1212pF @25VVds

下降时间 158 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 125000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 D2PAK-263

外形尺寸

封装 D2PAK-263

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

最小包装 800

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买NTB45N06L
型号: NTB45N06L
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:45安培, 60伏特,逻辑电平, N沟道TO- 220和D2PAK 45 Amps, 60 Volts, Logic Level, N−Channel TO−220 and D2PAK
替代型号NTB45N06L
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTB45N06L

ON Semiconductor 安森美

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