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BUT33中文资料参数规格

技术参数

极性 NPN

击穿电压集电极-发射极 400 V

集电极最大允许电流 56A

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3

外形尺寸

封装 TO-3

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

数据手册

在线购买BUT33

型号： BUT33

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：56安培NPN硅功率达林顿晶体管600伏250瓦 56 AMPERES NPN SILICON POWER DARLINGTON TRANSISTOR 600 VOLTS 250 WATTS