NTE159-10参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

NTE159-10图片1

NTE159-10中文资料参数规格

技术参数

极性 PNP

耗散功率 625 mW

击穿电压集电极-发射极 80.0V min

封装参数

封装 83.3 °C⁄W

外形尺寸

封装 83.3 °C⁄W

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

海关信息

HTS代码 85412100959

数据手册

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型号： NTE159-10

制造商： NTE Electronics

描述：Transistor; PNP; Silicon; 80V; 80V; 5V; 1A; 625mW; -55 to 150℃; 200 d