NTB18N06LG参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTB18N06LG概述

功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level

表面贴装型 N 通道 15A（Tc） 48.4W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 15A 3-Pin2+Tab D2PAK Tube

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 15A D2PAK

NTB18N06LG中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 15.0 A

漏源极电阻 100 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 48.4W Tc

输入电容 450 pF

栅电荷 22.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±10.0 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 121 ns

输入电容Ciss 440pF @25VVds

额定功率Max 48.4 W

下降时间 42 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48.4W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买NTB18N06LG

型号： NTB18N06LG

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：功率MOSFET 15安培， 60伏特，逻辑电平 Power MOSFET 15 Amps, 60 Volts, Logic Level

替代型号NTB18N06LG