NTD32N06LT4

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NTD32N06LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 32.0 A

漏源极电阻 23.7 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 93.8 W

漏源极电压Vds 60.0 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 32.0 A

上升时间 221 ns

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252

外形尺寸

封装 TO-252

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

在线购买NTD32N06LT4
型号: NTD32N06LT4
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:功率MOSFET 32安培, 60伏特,逻辑电平( N沟道DPAK ) Power MOSFET 32 Amps, 60 Volts, Logic LevelN−Channel DPAK
替代型号NTD32N06LT4
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