2SD602-R

2SD602-R图片1
2SD602-R概述

2SD602-R NPN三极管 30V 500mA/0.5A 200MHz 120 ~ 240 350mV/0.35V SOT-23/SC-59 marking/标记 WR 通用放大

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO| 30V \---|--- 集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO| 25V 集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC| 500mA/0.5A 截止频率fTTranstion FrequencyfT| 200MHz 直流电流增益hFEDC Current GainhFE| 120 ~ 240 管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage| 350mV/0.35V 耗散功率PcPower Dissipation| 200mW/0.2W Description & Applications| Silicon NPN epitaxial planer type For general amplification Complementary to 2SB710 and 2SB710A Features Low collector to emitter saturation voltage VCEsat Mini type package, allowing downsizing of the equipment and automatic insertion through the tape packing and the magazine packing. 描述与应用| NPN硅外延平面型 对于一般的放大 互补2SB710和2SB710A 特点 低集电极到发射极饱和电压VCE(SAT) 迷你型包装,使设备和自动插入裁员通过磁带包装和杂志 包装。

2SD602-R中文资料参数规格
封装参数

封装 SOT-23

外形尺寸

封装 SOT-23

其他

集电极-基极反向击穿电压VBRCBOCollector-Base VoltageVCBO 30V

集电极-发射极反向击穿电压VBRCEOCollector-Emitter VoltageVCEO 25V

集电极连续输出电流ICCollector CurrentIC 500mA/0.5A

截止频率fTTranstion FrequencyfT 200MHz

直流电流增益hFEDC Current GainhFE 120 ~ 240

管压降VCE(sat)Collector-Emitter Saturation Voltage 350mV/0.35V

耗散功率PcPower Dissipation 200mW/0.2W

规格书PDF __

数据手册

在线购买2SD602-R
型号: 2SD602-R
制造商: Panasonic 松下
描述:2SD602-R NPN三极管 30V 500mA/0.5A 200MHz 120 ~ 240 350mV/0.35V SOT-23/SC-59 marking/标记 WR 通用放大

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台