NTD4813NHT4G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTD4813NHT4G概述

40A,30V功率MOSFET

N-Channel 30V 7.6A Ta, 40A Tc 1.27W Ta, 35.3W Tc Surface Mount DPAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A DPAK

立创商城:
N沟道 30V 40A

贸泽:
MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

力源芯城:
40A,30V功率MOSFET

Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK

NTD4813NHT4G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.94 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.00 A, 40.0 A

输入电容Ciss 940pF @12VVds

额定功率Max 1.27 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.27W Ta, 35.3W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.38 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTD4813NHT4G

型号： NTD4813NHT4G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：40A,30V功率MOSFET

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替代型号NTD4813NHT4G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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