NTD4813N-1G参数规格_中文资料_数据手册PDF

NTD4813N-1G概述

40A,30V,N沟道MOSFET

N-Channel 30V 7.6A Ta, 40A Tc 1.27W Ta, 35.3W Tc Through Hole I-PAK

得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.6A/40A IPAK

贸泽:
MOSFET NFET 30V 40A 13MOHM

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 9A 3-Pin3+Tab IPAK Rail

力源芯城:
40A,30V,N沟道MOSFET

Win Source:
Power MOSFET 30 V, 40 A, Single N--Channel, DPAK/IPAK

NTD4813N-1G中文资料参数规格

技术参数

通道数 1

漏源极电阻 13 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 1.94 W

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 9.00 A

上升时间 19.3 ns

输入电容Ciss 860pF @12VVds

额定功率Max 1.27 W

下降时间 19.3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 1.27W Ta, 35.3W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.38 mm

高度 6.35 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Rail

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTD4813N-1G

型号： NTD4813N-1G

制造商： ON Semiconductor 安森美

描述：40A,30V,N沟道MOSFET

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替代型号NTD4813N-1G

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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