NTD4863N-1G

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NTD4863N-1G概述

23A,25V功率MOSFET

N-Channel 25V 9.2A Ta, 49A Tc 1.27W Ta, 36.6W Tc Through Hole I-PAK


得捷:
MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube


力源芯城:
23A,25V功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK


NTD4863N-1G中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 1.27W Ta, 36.6W Tc

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 8.60 A

输入电容Ciss 990pF @12VVds

额定功率Max 1.27 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.27W Ta, 36.6W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买NTD4863N-1G
型号: NTD4863N-1G
制造商: ON Semiconductor 安森美
描述:23A,25V功率MOSFET
替代型号NTD4863N-1G
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

NTD4863N-1G

ON Semiconductor 安森美

当前型号

当前型号

NTD4910N-1G

安森美

功能相似

NTD4863N-1G和NTD4910N-1G的区别

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