23A,25V功率MOSFET
N-Channel 25V 9.2A Ta, 49A Tc 1.27W Ta, 36.6W Tc Through Hole I-PAK
得捷:
MOSFET N-CH 25V 9.2A/49A IPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 25V 11.3A 3-Pin3+Tab IPAK Tube
力源芯城:
23A,25V功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 25V 9.2A IPAK
极性 N-Channel
耗散功率 1.27W Ta, 36.6W Tc
漏源极电压Vds 25 V
连续漏极电流Ids 8.60 A
输入电容Ciss 990pF @12VVds
额定功率Max 1.27 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.27W Ta, 36.6W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-251-3
封装 TO-251-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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NTD4863N-1G ON Semiconductor 安森美 | 当前型号 | 当前型号 |
NTD4910N-1G 安森美 | 功能相似 | NTD4863N-1G和NTD4910N-1G的区别 |