FDV304P

FD V304P 系列 P沟道 25 V 1.5 Ohm 表面贴装 数字 FET - SOT-23-3

增强模式 P 通道 MOSFET， Fairchild Semiconductor

增强模式场效应使用了 Fairchild 的专利高单元密度的 DMOS 技术进行生产。 这种密度非常高的工艺设计用于尽量减小通态电阻，提供耐用可靠的性能和快速切换。

立创商城:
P 沟道，数字 FET，-25V，-0.46A，1.1Ω

得捷:
MOSFET P-CH 25V 460MA SOT23

欧时:
ON Semiconductor Si P沟道 MOSFET FDV304P, 460 mA, Vds=25 V, 3引脚 SOT-23封装

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R

安富利:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 25V 0.46A 3-Pin SOT-23 T/R

TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -25V; -0.46A; 0.35W; SOT23

Newark:
MOSFET Transistor, P Channel, -460 mA, -25 V, 1.22 ohm, 2.7 V, -860 mV