Nexperia PBSS4130T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:300, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
低饱和电压 NPN ，
一系列 NXP BISS（小信号的重大突破）低饱和电压 NPN 双极接线晶体管。 这些设备具有极低集电极-发射极饱和电压和高集电极电流容量，采用紧凑的空间节省型封装。 这些晶体管减少损失，可在用于切换和数字应用时减少热量的产生并整体提高效率。
得捷:
TRANS NPN 30V 1A TO236AB
欧时:
Nexperia PBSS4130T,215 , NPN 晶体管, 1 A, Vce=30 V, HFE:300, 100 MHz, 3引脚 SOT-23 TO-236AB封装
立创商城:
NPN 30V 1A
贸泽:
Bipolar Transistors - BJT NPN 30V 1A LOW SAT
艾睿:
Trans GP BJT NPN 30V 1A Automotive 3-Pin TO-236AB T/R
Win Source:
TRANS NPN 30V 1A SOT23
额定功率 0.3 W
耗散功率 480 mW
增益频宽积 100 MHz
击穿电压集电极-发射极 30 V
最小电流放大倍数hFE 300 @500mA, 2V
最大电流放大倍数hFE 300 @1A, 2V
额定功率Max 480 mW
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 480 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 SOT-23-3
长度 3 mm
宽度 1.4 mm
高度 1 mm
封装 SOT-23-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅