IRF7341TRPBF

INFINEON  IRF7341TRPBF  双路场效应管, MOSFET, 双N沟道, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V

N 通道功率 MOSFET，55V，

Infineon 的分立 HEXFET® 功率 MOSFET 系列包括表面安装和引线封装的 N 通道设备，外形可应对几乎任何板布局和热设计挑战。 在整个范围内，基准导通电阻减少了传导损耗，让设计人员可以提供最佳系统效率。

立创商城:
2个N沟道 55V 4.7A

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MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC

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### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A，InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备，用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管，Infineon IR### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度，且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品，从电动机控制到照明和家用电器。

贸泽:
MOSFET MOSFT DUAL NCh 55V 4.7A

e络盟:
# INFINEON  IRF7341TRPBF  场效应管, MOSFET, 双N沟道, 55V, 4.7A, 整卷

艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC N T/R

Allied Electronics:
IRF7341TRPBF Dual N-channel MOSFET Transistor; 4.7 A; 55 V; 8-Pin SOIC

安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R

Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R

TME:
Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 55V; 3.8A; 2W; SO8

Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 55V 4.7A 8-Pin SOIC T/R

Newark:
# INFINEON  IRF7341TRPBF  Dual MOSFET, Dual N Channel, 4.7 A, 55 V, 0.043 ohm, 10 V, 1 V

儒卓力:
**2N-CH 55V 4,7A 50mOhm SO8 **

Win Source:
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC