IRFR3708TRPBF

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IRFR3708TRPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK


立创商城:
IRFR3708TRPBF


欧时:
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贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 30 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; 87W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK


IRFR3708TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 87 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 15 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 87 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 61A

上升时间 50 ns

输入电容Ciss 2417pF @15VVds

下降时间 3.7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 87W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 2.39 mm

高度 6.22 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

IRFR3708TRPBF引脚图与封装图
IRFR3708TRPBF引脚图
IRFR3708TRPBF封装图
IRFR3708TRPBF封装焊盘图
在线购买IRFR3708TRPBF
型号: IRFR3708TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon ### MOSFET 晶体管,Infineon IR ### MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
替代型号IRFR3708TRPBF
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