HEXFET® N 通道功率 MOSFET 超过 55A,Infineon### MOSFET 晶体管,Infineon IR### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,30V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
立创商城:
IRFR3708TRPBF
欧时:
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贸泽:
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 12.5mOhms 24nC
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 61 A, 30 V, 0.0082 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 61A; 87W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 61A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
额定功率 87 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 15 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 87 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 61A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2417pF @15VVds
下降时间 3.7 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 87W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 2.39 mm
高度 6.22 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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