IRF7201TRPBF

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IRF7201TRPBF概述

HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。

N 通道功率 MOSFET,30V,

Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。


欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO


立创商城:
N沟道 30V 7.3A


贸泽:
MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, 表面安装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R


Newark:
# INFINEON  IRF7201TRPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 30 V, 50 mohm, 20 V, 1 V


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC


IRF7201TRPBF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 7.30 A

额定功率 2.5 W

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 30 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 7.00 A

上升时间 35 ns

输入电容Ciss 550pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 4 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买IRF7201TRPBF
型号: IRF7201TRPBF
制造商: Infineon 英飞凌
描述:HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,Infineon HEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IR Infineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
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