HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
N 通道功率 MOSFET,30V,
Infineon 系列分离式 HEXFET® 功率 MOSFET 包括 N 通道设备,采用表面安装和引线封装。 形状系数可解决大多数板布局和热设计挑战问题。 在整个范围内,基准导通电阻减少了传导损耗,让设计人员可以提供最佳系统效率。
欧时:
### HEXFET® N 通道功率 MOSFET 最大 50A,InfineonHEXFET® 电源 MOSFET 具有各种坚固的单 N 通道设备,用于为音频、消费电子产品、电动机控制和照明及家用电器提供交流到直流和直流到直流电源。 ### MOSFET 晶体管,Infineon IRInfineon 全面的坚固单和双 N 通道和 P 通道设备组合提供快速切换速度,且可满足各种电源需求。 应用范围从交流-直流和直流-直流电源到音频和消费电子产品,从电动机控制到照明和家用电器。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8SO
立创商城:
N沟道 30V 7.3A
贸泽:
MOSFET MOSFT 30V 7A 30mOhm 19nC
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 30 V, 7.3 A, 0.03 ohm, SOIC, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 7A; 2.5W; SO8
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 7.3A 8-Pin SOIC T/R
Newark:
# INFINEON IRF7201TRPBF MOSFET Transistor, N Channel, 7 A, 30 V, 50 mohm, 20 V, 1 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 7.3A 8-SOIC
额定电压DC 30.0 V
额定电流 7.30 A
额定功率 2.5 W
通道数 1
针脚数 8
漏源极电阻 30 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 7.00 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 550pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 5 mm
宽度 4 mm
高度 1.5 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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